在高端制造、电气工程、半导体、新能源与真空系统等领域，铜材的选择至关重要，它直接决定了性能上限与系统可靠性。 ETP铜（C11000）与无氧铜（C10200 / C10100, OFHC Copper）作为最常被对比的两种高纯铜材料，虽看似接近，但实则在多个方面存在关键差异。 选错了，要么是性能不达标，要么是为多余的性能支付高昂成本。

Part 01 核心差异对比

表1：核心差异对比表

ETP铜采用化学脱氧法，通过添加磷元素与氧结合，从而实现脱氧，因此其氧含量通常不高于0.06%，但会在材料内部残留微量的氧化亚铜（Cu₂O）夹杂。 而无氧铜则通过严格的熔炼控制实现物理脱氧，几乎不引入脱氧剂，因此氧含量极低——C10200不超过0.001%，C10100不超过0.0005%，其微观结构纯净，几乎不含氧化物。

ETP铜中存在的氧化亚铜在氢气或还原性气氛中会发生化学反应（Cu₂O + H₂ → 2Cu + H₂O↑），生成的水蒸气在晶界聚集可导致“氢脆”， 使其不适合用于高压氢气环境或某些高温钎焊工艺。 相比之下，无氧铜因不含氧化物，从根本上避免了氢脆风险，因此在半导体、超高真空、高频信号传输等要求高纯、高稳定性的领域中成为不可替代的材料。

此外，两者的纯度标准也有所不同：ETP铜的铜含量不低于99.9%，而无氧铜的纯度更高，C10200和C10100分别达到99.95%和99.99%以上。 这种纯度差异进一步影响了其导电性、导热性以及在极端环境中的长期可靠性，使得无氧铜在高端科技与精密工业中更具应用优势。

Part 02 导电与导热性能

导电率： ETP铜 ≈ 100% IACS ｜ 无氧铜：101~102% IACS（C10100 可达 102%）

应用影响： 1–2% 差异在常规电力中可忽略，但在射频/微波、超导等极限场景成为关键。

导热率： ETP铜：390–400 W/m·K ｜ 无氧铜：395–405 W/m·K（C10100 更优）

应用影响： 高热流密度散热（如粒子加速器水冷块）优选无氧铜。

Part 03 机械与物理特性

表2：特性对照

低温韧性方面，虽然ETP铜在常规低温下表现良好，但在液氮（77K）及更低的液氦温度区间，无氧铜展现出“优异”的低温韧性，其晶体结构在极低温下不发生脆性转变，因此涉及低温超导、航天深冷系统的核心部件必须选用无氧铜。

高温稳定性上，ETP铜在约370℃以下可保持稳定，而无氧铜能耐受“更高的温度”。这使无氧铜成为高温钎焊、焊接或长期工作在高温环境（如某些真空炉内部件）时的首选，能有效避免高温下的性能退化。

再结晶温度的差异反映了材料冷加工后的热稳定性。ETP铜的再结晶温度（约200℃）略高于无氧铜（约180℃），这意味着经过冷加工的ETP铜零件在后续遇到较低温度的工艺环节时，更不容易发生软化，有利于保持加工后的形状和强度。

最关键的特性之一是 “真空放气率” 。ETP铜因含有微量磷等挥发性元素，其放气率“较高”，若用于超高真空系统，会严重污染真空环境、延长抽气时间并影响工艺稳定性。因此，所有超高真空系统都“强制要求”使用放气率“极低”的无氧铜，这是保证真空度与系统洁净度的铁律。

Part 04 制造工艺兼容

一、连接工艺选择

二、加工性能对比

• 冷加工性： 两者均优异，ETP略好
• 热加工性： ETP铜 ＞ 无氧铜
• 机加工性： ETP铜更优（断屑性更好）
• 表面处理： 无氧铜镀层附着力更佳

Part 05 快速选型

一、应用环境

二、性能需求

三、工艺与成本

Part 06 典型应用场景

一、ETP铜主导领域（性价比最优解）

• 电力传输系统（母线排、配电柜连接件）
• 新能源汽车（电池连接片、充电桩端子、电机绕组）
• 常规热管理（换热器、散热器）
• 建筑与基础设施（接地系统、防雷导体）

二、无氧铜强制领域（性能唯一解）

• 半导体制造（PVD/CVD 设备关键部件）
• 高能物理与航天（粒子加速器、火箭推力室）
• 尖端电子（超导磁体、微波波导、量子计算）
• 精密计量（国家标准电阻、时间频率基准）