GaN-SI-BP04 - SJ 21442-2018

牌号	GaN-SI-BP04
对应标准	SJ 21442-2018 GaN-SI 型半绝缘氮化镓单晶片规范 Specification for Semi-Insulating Gallium Nitride Monocrystalline Wafers of Gan-Si
归类	非金属材料
标签	半导体材料
说明	◎ 氮化镓（GaN）单晶片是一种半导体材料，以下是关于氮化镓单晶片的相关信息： • 特性宽禁带半导体：氮化镓是一种宽禁带直接带隙半导体，这使得它在高电压、高频和高温应用中具有显著优势。高电子迁移率：氮化镓具有高电子迁移率，其在二维电子气（2DEG）区域的电子迁移率可达1500-2000 cm²/V·s。高热导率和低导通电阻：氮化镓的热导率高，导通电阻低，适合用于高效功率器件。机械稳定性：氮化镓单晶片具有良好的机械稳定性，适合用于各种极端环境。 • 应用光电器件：氮化镓是制造高亮度LED、蓝光激光二极管和紫外光电器件的核心材料。高频和功率器件：氮化镓在高频通信和功率电子领域表现出色，可用于5G通信、新能源汽车（车载充电器、DC-DC转换器）和高效电源管理。新能源领域：氮化镓还被用于太阳能电池和水分解装置（GaN基材料用于光催化制氢处于研究阶段，尚未大规模商用）。 • 制备技术氮化镓单晶片通常通过外延生长技术制备，如氢化物气相外延（HVPE）。此外，新的制造技术如超临界酸性氨热技术（SCAAT）也在开发中，以实现高质量、低缺陷和低成本的氮化镓单晶片。 • 总之，氮化镓单晶片是一种重要的半导体材料，具有优异的物理和电学特性，广泛应用于光电器件和功率电子领域。(以上内容仅供参考) ◎ GaN-SI-BP04是氮化镓单晶片的型号之一。 ◎ 型号说明：GaN-氮化镓单晶材料；SI-导电类型为半绝缘；BP-双面抛光；02-晶片直径为50.8mm，03直径为76.2mm，04直径为100mm

氮化镓单晶片外形尺寸

型号	直径(公差) mm	厚度^a μm	总厚度变化 μm	弯曲度 μm	主参考面取向	主参考面长度 mm	副参考面取向	副参考面长度 mm
GaN-SI-BP04	100.0(+0.2，-0.5)	550±40	≤35	≤40	<1100>±0.5°	32.0±2.0	主参考面顺时针转90°±3°	18.0±2.0
a 除另有要求外，晶片厚度按照表中参数执行。

型号

直径(公差)

厚度^a

μm

总厚度变化

μm

弯曲度

μm

主参考面取向

主参考面长度

副参考面

取向

副参考面长度

GaN-SI-BP04

100.0(+0.2，-0.5)

550±40

≤35

≤40

<1100>±0.5°

32.0±2.0

主参考面顺时

针转90°±3°

18.0±2.0

a 除另有要求外，晶片厚度按照表中参数执行。

其他技术参数

表面质量	晶向	表面粗糙度	电阻率	X射线衍射 (XRD)摇摆曲线半高宽	位错密度	表面硅杂质浓度
双面抛光，镓面无裂纹、划伤、沾污、崩边，宏观缺陷≤2个/cm²	<0001>偏向 M轴0.35°±0.15°， M轴<1100>	Ra≤0.5nm	≥1×10⁶ Ω·cm	• 单晶片(0002)面X射线衍射(XRD) 摇摆曲线半高宽≤120弧秒 • 单晶片(1012)X射线衍射(XRD) 摇摆曲线半高宽≤120弧秒	≤5×10⁶/cm²	≤5×10¹⁷/cm³

表面质量

晶向

表面粗糙度

电阻率

X射线衍射

(XRD)摇摆

曲线半高宽

位错密度

表面硅杂质浓度

双面抛光，镓面

无裂纹、划伤、

沾污、崩边，宏

观缺陷≤2个/cm²

<0001>偏向

M轴0.35°±0.15°，

M轴<1100>

Ra≤0.5nm

≥1×10⁶ Ω·cm

• 单晶片(0002)面X射线衍射(XRD)

摇摆曲线半高宽≤120弧秒

• 单晶片(1012)X射线衍射(XRD)

摇摆曲线半高宽≤120弧秒

≤5×10⁶/cm²

≤5×10¹⁷/cm³

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