| 牌号 | GaAs-HB-N(Si)-<111> |
|---|---|
| 对应标准 | GB T 30856-2014
LED外延芯片用砷化镓衬底 GaAs substrates for LED epitaxial chips |
| 归类 | 非金属材料 |
| 标签 | 水平砷化镓单晶衬底 |
| 说明 | ◎ 该牌号是砷化镓GaAs单晶衬底的牌号。牌号由四部分组成，中间用“-”隔开。 • 示例：GaAs-HB-N(Si)-<111>， • 牌号中GaAs为第一项用分子式表示单晶的名称； • 牌号第二项表示单晶的生产方法，HB为水平法； • 牌号第三项用N或P表示导电类型，括号内符号表示掺杂剂，水平(HB)法砷化镓单晶掺入Fe，Si，Zn，Cr，O等杂质易于生长各种规格掺杂GaAs和半绝缘单晶。 • 牌号第四项为用密勒指数表示晶向，示例牌号中<111> • HB GaAs单晶制备工艺特点是生长设备较简单，具有三个（或多个）温区的卧式炉和相应的机械传动装置及温控系统。高纯As和盛Ga舟密封于石英反应管两端，通过As端（约610°C，此时As的蒸汽压约0.1MPa）温度控制，保持反应管内一定的As压与高温区（1245~1260°C）中Ga合成并在一定温度梯度下生长单晶，在高、低温区之间有一个或几个中温区有利于降低系统中的温度梯度并可抑制Si的沾污。水平单晶比LEC单晶位错密度一般低0.5~1个数量级，掺Si水平GaAs中位错密度可＜102个/平方厘米。生长过程中As压易于控制单晶化学配比可控性较好。掺入Fe,Si,Zn,Cr,O等杂质易于生长各种规格掺杂GaAs和半绝缘单晶。作为衬底广泛用于发光器件、激光器、太阳电池、光阴极、微波器件、霍耳器件、根氏器件等。该种单晶生长方向一般为〈111〉，切成(100)晶片呈D形，需加工成圆形片而造成一定损失。石英舟不能完全防止Si沾污，故难以生长非掺杂半绝缘单晶。 ◎ 砷化镓衬底牌号的表示按GB/T 14844。 ◎ 本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。 |
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