| 牌号 | GaAs-CZ-N(Te)-<100> |
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| 对应标准 | GB T 30856-2014
LED外延芯片用砷化镓衬底 GaAs substrates for LED epitaxial chips |
| 归类 | 非金属材料 |
| 标签 | 直拉砷化镓单晶衬底 |
| 说明 | ◎ 该牌号是砷化镓GaAs单晶衬底的牌号。牌号由四部分组成，中间用“-”隔开。 • 示例：GaAs-LEC-P(Zn)-<100>， • 牌号中GaAs为第一项用分子式表示单晶的名称； • 牌号第二项表示单晶的生产方法，LEC为液封直拉法； • 牌号第三项用N或P表示导电类型，括号内符号表示掺杂剂，液封直拉(LES)砷化镓单晶有不同掺杂浓度的P型（一般掺杂Zn）、N型（一般掺杂Te）、半绝缘I型（非掺杂或掺Cr）材料。 • 牌号第四项为用密勒指数表示晶向，示例牌号中<100> • LEC GaAs单晶制备工艺特点是生长速度较快，易于直接拉制出所需晶向的圆柱形单晶，其位错密度一般为104个/平方厘米 ◎ 砷化镓衬底牌号的表示按GB/T 14844。 ◎ 本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。 |
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电学性能
序号 项目 要求 n p 1 电阻率/(Ω·cm) 0.01～1×10-3 0.1～3×10-3 2 迁移率/[cm2/(V·s)] ≥1 000 ≥40 3 载流子浓度/cm-3 1×1017～4×1018 5×1017～5×1019 -
位错密度；取向、形状和尺寸及允许偏差
表2-位错密度 项目 要求 Φ50.8mm Φ76.2mm Φ100mm Φ150mm 位错密度/(个/cm2) ≤2×103 ≤4×103 ≤5×103 ≤1×104 注：当客户对晶体位错密度参数和位错类型及分布有特殊要求时，由供需双方在合同中确定。 表3-表面晶向和晶向偏离 砷化镓衬底的表面晶向为<100>，晶向偏离不大于0.5°（当客户对晶向参数有特殊要求时，由供需双方在合同中确定。） 表4-Φ50.8mm、Φ76.2mm、Φ100mm砷化镓衬底参考面的取向、形状和尺寸
参数项目 要求 参考面选择 V型槽 燕尾槽 主参考面取向 [011]±0.5°属于1个砷面，
主参考面垂直于V型槽
[011]±0.5°属于1个镓面，
主参考面垂直于燕尾槽
副参考面取向 从主参考面逆时针转90°±5° 从主参考面顺时针转90°±5° 规格 Φ50.8mm(Φ2'') Φ76.2mm(Φ3'') Φ100mm(Φ4'') - 主参考面长度 16mm±1mm 22mm±1mm 32mm±1mm - 副参考面长度 8mm±1mm 11mm±1mm 18mm±1mm - 表5-Φ160mm(Φ6'')砷化镓衬底参考面的取向、形状和尺寸 项目 要求 参考面切口位置取向、
形状和尺寸
取向 深度/mm 开角/(°C) - [010]±2° 1（+0.25，0）*
90（-3，-1）* - *（）上下偏差 表6-外形尺寸 项目 要求 Φ50.8mm(Φ2'') Φ76.2mm(Φ3'') Φ100mm(Φ4'') Φ150mm(Φ6'') 直径及允许偏差/mm 50.8±0.2 76.2±0.2 100±0.2 150±0.2 厚度及允许偏差/μm (280~500)±15 (400~600)±20 (400~650)±25 (400~700)±25 总厚度变化 TTV/μm ≤12 ≤15 ≤18 ≤20 平整度 TIR/μm ≤6 ≤8 ≤10 ≤10 翘曲度 Warp/μm ≤12 ≤15 ≤20 ≤25 注：客户对外形几何尺寸有其他特殊要求时，双方协议后在合同中签订。
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